ESPECIFICACIONES TÉCNICAS:
- Fabricante STMicroelectronics
- Tipo de transistor N-MOSFET
- Tensión drenaje-fuente 60V
- Corriente del drenaje 35A
- Poder disipado 110W
- Carcasa TO220-3
- Tensión puerta-fuente ±20V
- Resistencia en estado de transferencia 18mΩ
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