ESPECIFICACIONES TÉCNICAS:
- Fabricante STMicroelectronics
- Transistor N-MOSFET
- Tensión drenaje-fuente 600V
- Corriente del drenaje 14.5A
- Poder disipado 190W
- Carcasa TO247
- Tensión puerta-fuente ±25V
- Resistencia en estado de transferencia 130mΩ
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