ESPECIFICACIONES TÉCNICAS:
- Fabricante STMicroelectronics
- Transistor N-MOSFET
- Tensión drenaje-fuente 500V
- Corriente del drenaje 7.2A
- Poder disipado 30W
- Carcasa TO220FP
- Tensión puerta-fuente ±30V
- Semiconductor ESD protected gate
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