ESPECIFICACIONES TÉCNICAS:
- Fabricante STMicroelectronics
- Transistor N-MOSFET
- Tensión drenaje-fuente 100V
- Corriente del drenaje 80A
- Poder disipado 300W
- Carcasa TO220-3
- Tensión puerta-fuente ±20V
- Resistencia en estado de transferencia 15mΩ
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