Transistor 21666-DI
- Fabricante STMicroelectronics
- Transistor IGBT
- Tensión colector-emisor 600V
- Corriente de colector 30A
- Poder disipado 200W
- Carcasa TO247-3
- Tensión entrada – emisor ±20V
- Corriente de colector en impulso 150A
- Carga de puerta 140nC
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