- Transistores IGBT
- Capsula TO-3P-3
- Voltaje colector-emisor VCEO máx. 600 V
- Voltaje de saturación colector-emisor 2.1 V
- Voltaje puerta-emisor máximo 20 V
- Corriente continua del colector a 25º C 80 A
- Disipación de potencia 195 W
- Corriente continua del colector Ic Máx 80 A
- Marca ON Semiconductor / Fairchild
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